一、团队简介

    先进半导体团队聚焦在先进半导体材料和芯片技术，特别是以锗硅、砷化镓、磷化铟和氮化镓为代表的化合物半导体器件和电路技术。团队在历史上成功研制过多款化合物半导体射频、功率和光电器件产品。特别是70纳米砷化镓HEMT、30纳米磷化铟HEMT和100纳米氮化镓HEMT等器件技术曾经是当时的国际先进水平，工作频率覆盖微波、毫米波、亚毫米波和太赫兹。团队将遵循上海大学集成电路研究院的办学方针，注重与产业界的密切合作，无论是课题选择还是项目推动都将产业界的需求放在首要位置，努力打造有鲜明特点的优秀研究队伍。

二、基本要求

1、研究员应在集成电路关键核心技术攻关方面取得若干高水平科研成果，原则上不超过45周岁，特别优秀者可视具体情况适当放宽。

2、副研究员应有从事集成电路领域重大重点科研项目科研经历并取得丰硕科研成果，原则上不超过40周岁，特别优秀者可视具体情况适当放宽。

3、助理研究员应能独立开展集成电路前沿学术研究，原则上不超过38周岁，特别优秀者可视具体情况适当放宽。

4、学科（专业）要求：具有微电子学与固体电子学、光电子学、半导体物理及器件物理、电子信息、材料科学或材料物理等学科背景，最好具有化合物半导体（包括但不限于砷化镓、磷化铟、氮化镓、锗硅、碳化硅、锑化物、金刚石）新型射频毫米波、光电、功率器件及电路的设计、材料生长、芯片制作、器件测试方面的经验。特别欢迎有工业界工作经验的人士申请。

5、其他要求：政治立场坚定、遵守国家宪法和法律、爱党爱国、学风严谨、崇尚科学，具有良好的敬业精神。

1、参与研究院建设或实验室建设，增强同事间协同合作意识；

2、主持或参与科学研究或科研开发项目，取得高质量的研究开发成果；

3、参加学术交流活动，探索技术革新、产品开发等项目，服务地方经济建设和社会发展；

4、遵守教师思想政治和师德师风有关要求；

5、完成该岗位学校和研究院规定的其它工作量要求。