一、团队简介

    射频前端芯片团队专注于射频前端芯片的设计、建模、开发及产业化。团队研究方向涵盖射频前端核心模块研发（如射频开关、放大器、多功能模块等）和半导体工艺与器件建模（如SiGe HBT与GaN器件特性表征）。团队在射频前端芯片领域成果斐然，成功研发了多款国际国内领先的芯片产品，为国内军工通讯、测试仪器和卫通等产业提供了安全的国产芯片替代方案。团队内部形成了良好的学术氛围与协同创新机制，致力于在5G/6G通感一体、军工通信与雷达等领域实现技术突破，推动国内集成电路技术的发展与创新。

二、基本要求

1、研究员应在集成电路关键核心技术攻关方面取得若干高水平科研成果，原则上不超过45周岁，特别优秀者可视具体情况适当放宽。

2、副研究员应有从事集成电路领域重大重点科研项目科研经历并取得丰硕科研成果，原则上不超过40周岁，特别优秀者可视具体情况适当放宽。

3、助理研究员应能独立开展集成电路前沿学术研究，原则上不超过38周岁，特别优秀者可视具体情况适当放宽。

4、学科（专业）要求：具有电子信息、集成电路、微电子学与固体电子学等学科背景，具有二维材料、光计算、通信、模拟集成电路等方向相关知识基础。

5、熟练掌握射频电路设计、射频测试与校准技术，以及射频前端关键模块（如功率放大器、低噪声放大器、滤波器等）的设计与实现工艺。

6、拥有较强的射频微波理论或半导体器件物理背景，熟悉射频前端芯片的工作原理与性能指标。

7、芯片研发，尤其是射频前端芯片设计背景的学者优先考虑，具备成功流片经验者更佳。

8、具备跨学科背景，尤其是熟悉通信系统与半导体工艺交叉领域的学者优先考虑，能够理解系统需求对射频前端芯片的具体影响。

9、善于团队协作，具备良好的沟通能力和问题解决能力，能够在快节奏的研发环境中与团队成员高效配合。

10、其他要求：政治立场坚定、遵守国家宪法和法律、爱党爱国、学风严谨、崇尚科学，具有良好的敬业精神。

1、参与研究院建设或实验室建设，增强同事间协同合作意识；

2、主持或参与科学研究或科研开发项目，取得高质量的研究开发成果；

3、参加学术交流活动，探索技术革新、产品开发等项目，服务地方经济建设和社会发展；

4、遵守教师思想政治和师德师风有关要求；

5、完成该岗位学校和研究院规定的其它工作量要求。